5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPD50N04S3-08
IPD50N04S3-08 PDF预览

IPD50N04S3-08

更新时间： 2024-11-18 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPD50N04S3-08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：GREEN, TO-252, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.62
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：111 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD50N04S3-08 数据手册

 浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD50N04S3-08的Datasheet PDF文件第7页 
IPD50N04S3-08  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
7.5  
50  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD50N04S3-08  
PG-TO252-3-11 3N0408  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, VGS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
50  
A
T C=100 °C,  
V
49  
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=50 A  
200  
111  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
68  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2007-05-03  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IPD50N04S3-08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD50N04S3-09 INFINEON

类似代替

 OptiMOS-T Power-Transistor
AOI4184 AOS

功能相似

 40V N-Channel MOSFET

与IPD50N04S3-08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD50N04S3-09 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPD50N04S4-08 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N04S4-10 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N04S4L-08 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N06S2-14 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPD50N06S2-14 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IPD50N06S214ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N06S2L-13 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPD50N06S2L13ATMA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPD50N04S3-08相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证