5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD088N06N3GBTMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD079N06L3GBTMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR3636PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD50N08S4-13 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50N08S413ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50N10S3L-16 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD50N12S3L-15 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPD50N12S3L15ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD50P03P4L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPD50P03P4L-11 | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IPD50P03P4L11ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD50P03P4L11ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPD50P04P4-13 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
