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IPD50R280CE

更新时间： 2024-09-13 11:59:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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2页	1164K
描述
500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET

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IPD50R280CE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.68	雪崩能效等级（Eas）：	231 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42.9 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50R280CE 数据手册

Product Brief

Features

Reduced energy stored in output

capacitance (E_oss

)

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge (Q_rr)

Reduced gate charge (Q_g)

The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Inﬁneon’s market leading

high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary

superjunction (SJ) principle.

Beneﬁts

Easy control of switching behavior

Improved light load eﬃciency

500V CE portfolio provides all beneﬁts of a fast switching SJ MOSFET while not

sacriﬁcing ease of use. As the complete CE series, devices achieve extremely

low conduction and switching losses and can make switching applications

more eﬃcient, more compact, lighter and cooler.

compared to previous CoolMOS™

generations

Cost attractive alternative compared

to standard MOSFETs

Outstanding reliability with proven

CoolMOS™ quality combined with

high body diode ruggedness

Efficiency comparison 500V CoolMOS™ CE vs competitor standard MOSFET

CCM PFC stage, 90VAC up to 400W

Applications

IPP50R280CE vs. Standard MOS

eﬃciency @ VIN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

IPP50R280CE vs. Standard MOS

delta eﬃciency @ V_IN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

Consumer

Lighting

0,6

0,4

PC Silverbox

IPP50R280CE

Standard MOS

IPP50R280CE

Standard MOS

0,2

0,0

50 100 150 200 250 300 350 400

-0,2

-0,4

-0,6

-0,8

-1,0

40% Q_greduction

P_OUT[W]

www.inﬁneon.com/ce

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IPD50R280CE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD50R280CEATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

与IPD50R280CE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD50R280CEATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R280CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R280CEBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R2K0CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R2K0CEBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IPD50R380CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R380CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R399CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
IPD50R399CPBT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPD50R399CPBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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