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IPD50R1K4CEAUMA1

更新时间： 2024-10-30 21:20:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
14页 1559K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPD50R1K4CEAUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.7
JESD-609代码：e3端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

IPD50R1K4CEAUMA1 数据手册

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IPD50R1K4CE,ꢀIPU50R1K4CE  
MOSFET  
DPAK  
IPAK  
500VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
tab  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
2
1
1
2
3
3
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Drain  
Pin 2  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Source  
Pin 3  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
ID  
Value  
550  
1.4  
Unit  
V
Ω
4.8  
A
Qg.typ  
8.2  
nC  
A
ID,pulse  
8.8  
Eoss@400V  
0.79  
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPD50R1K4CE  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 252  
PG-TO 251  
50S1K4CE  
see Appendix A  
IPU50R1K4CE  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.4,ꢀꢀ2016-06-13  
1234567...14

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与IPD50R1K4CEAUMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD50R280CE INFINEON

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IPD50R280CEATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R280CEAUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R280CEBTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor

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