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IPD50R380CEAUMA1

更新时间： 2024-10-30 20:00:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1149K
描述
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC, DPAK-3/2

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IPD50R380CEAUMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	2.26
雪崩能效等级（Eas）：	173 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏源导通电阻：	0.38 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32.4 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50R380CEAUMA1 数据手册

IPD50R380CE

MOSFET

DPAK

500VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

tab

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Drain

Pin 2

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Gate

Pin 1

Applications

Source

Pin 3

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_D

Value

Unit

550

0.38

14.1

24.8

32.4

2.54

Ω

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD50R380CE

PG-TO 252

50S380CE

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2016-06-13

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD50R399CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
IPD50R399CPBT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPD50R399CPBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD50R399CPXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
IPD50R3K0CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R3K0CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IPD50R500CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R500CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD50R500CEBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
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