Datasheet > IPD50R380CE

IPD50R380CE

更新时间： 2024-10-30 11:59:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
2页	1164K
描述
500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD50R380CE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.25
雪崩能效等级（Eas）：	173 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	14.1 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	98 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32.4 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50R380CE 数据手册

Product Brief

Features

Reduced energy stored in output

capacitance (E_oss

)

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge (Q_rr)

Reduced gate charge (Q_g)

The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Inﬁneon’s market leading

high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary

superjunction (SJ) principle.

Beneﬁts

Easy control of switching behavior

Improved light load eﬃciency

500V CE portfolio provides all beneﬁts of a fast switching SJ MOSFET while not

sacriﬁcing ease of use. As the complete CE series, devices achieve extremely

low conduction and switching losses and can make switching applications

more eﬃcient, more compact, lighter and cooler.

compared to previous CoolMOS™

generations

Cost attractive alternative compared

to standard MOSFETs

Outstanding reliability with proven

CoolMOS™ quality combined with

high body diode ruggedness

Efficiency comparison 500V CoolMOS™ CE vs competitor standard MOSFET

CCM PFC stage, 90VAC up to 400W

Applications

IPP50R280CE vs. Standard MOS

eﬃciency @ VIN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

IPP50R280CE vs. Standard MOS

delta eﬃciency @ V_IN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

Consumer

Lighting

0,6

0,4

PC Silverbox

IPP50R280CE

Standard MOS

IPP50R280CE

Standard MOS

0,2

0,0

50 100 150 200 250 300 350 400

-0,2

-0,4

-0,6

-0,8

-1,0

40% Q_greduction

P_OUT[W]

www.inﬁneon.com/ce

中文翻译

下载PDF

IPD50R380CE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD50R280CEATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

与IPD50R380CE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD50R380CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R399CP	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
IPD50R399CPBT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPD50R399CPBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD50R399CPXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
IPD50R3K0CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R3K0CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IPD50R500CE	INFINEON	获取价格	500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET
IPD50R500CEAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD50R500CEBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

与IPD50R380CE相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

18
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD50R380CE

IPD50R380CE 技术参数

IPD50R380CE 数据手册

IPD50R380CE 替代型号

与IPD50R380CE相关器件

与IPD50R380CE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD50R380CE

IPD50R380CE 技术参数

IPD50R380CE 数据手册

IPD50R380CE 替代型号

与IPD50R380CE相关器件

与IPD50R380CE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？