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IPD50P03P4L-11

更新时间： 2024-09-15 11:08:47
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9页 161K
描述
OptiMOS-P2 Power-Transistor

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IPD50P03P4L-11 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：58 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD50P03P4L-11 数据手册

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IPD50P03P4L-11  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
-30  
10.5  
-50  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
PG-TO252-3-11  
• P-channel - Logic Level - Enhancement mode  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Intended for reverse battery protection  
Type  
Package  
Marking  
IPD50P03P4L-11  
PG-TO252-3-11 4P03L11  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
GS=-10V1)  
I D  
Continuous drain current  
-50  
A
V
T C=100°C,  
GS=-10V2)  
-42  
V
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
-200  
100  
I D= -25A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
-50  
VGS  
Ptot  
-
+5/-16  
58  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
2009-07-29  
1234567...9

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IPD50P03P4L-11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB45P03P4L-11 INFINEON

类似代替

 OptiMOS-P2 Power-Transistor

与IPD50P03P4L-11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD50P04P413ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0126ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPD50P04P4L11 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IPD50P04P4L-11 INFINEON

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