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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 61 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD50N04S3-08 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD50N04S3-09 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AOI4185 | FREESCALE |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field |
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| AOI4185 | AOS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| AOI4286 | AOS |
获取价格 |
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOI4286L | AOS |
获取价格 |
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
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| AOI442 | AOS |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| AOI442 | FREESCALE |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| AOI444 | AOS |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| AOI444 | FREESCALE |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| AOI444 (KOI444) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| AOI452A | AOS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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