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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09 PDF预览

IPD50N04S3-09

更新时间： 2024-11-18 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 184K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

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IPD50N04S3-09 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD50N04S3-09 数据手册

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IPD50N04S3-09  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
9
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
50  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD50N04S3-09  
PG-TO252-3-11 3N0409  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25 °C, VGS=10 V1)  
I D  
Continuous drain current  
50  
A
T C=100 °C,  
V
43  
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=25 A  
200  
140  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
I AS  
50  
VGS  
±20  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
63  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
2009-11-03  
1234567...9

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IPD50N04S3-09 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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