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IPD50N06S409ATMA2

更新时间： 2024-10-02 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	165K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IPD50N06S409ATMA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.71	雪崩能效等级（Eas）：	87 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD50N06S409ATMA2 数据手册

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IPD50N06S4-09

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

9.0

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO252-3-11

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD50N06S4-09

PG-TO252-3-11 4N0609

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

I _D

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

200

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=25A

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

°C

−

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.2

page 1

2009-07-01

12 3 4 5 6 7...9

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IPD50N06S409ATMA2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD50N06S409ATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD50N06S4L12ATMA2	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IPD50N06S409ATMA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD50N06S4L-08	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N06S4L08ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N06S4L-12	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N06S4L12ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD50N08S4-13	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N08S413ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N10S3L-16	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPD50N12S3L-15	INFINEON	获取价格	车规级MOSFET
IPD50N12S3L15ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD50P03P4L-11	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor

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