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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.73 | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD50N04S3-08 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD50N04S3-09 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD50N04S4-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD50N04S4-10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD50N04S4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD50N04S4L08ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD50N06S2-14 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD50N06S2-14 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IPD50N06S214ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD50N06S2L-13 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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