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IPD49CN10NGBUMA1

更新时间： 2024-11-18 15:44:39

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	902K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD49CN10NGBUMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD49CN10NGBUMA1 数据手册

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与IPD49CN10NGBUMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD49CN10NGTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPD50N03S2-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPD50N03S207ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N03S2L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPD50N03S2L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N03S4L-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N03S4L-06_10	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD50N03S4L06ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD50N04S3-08	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor

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