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IPD40N03S4L-08_10

更新时间： 2024-10-02 11:08:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPD40N03S4L-08

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

8.3

R _DS(on),max

I _D

Features

PG-TO252-3-11

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD40N03S4L-08

PG-TO252-3-11 4N03L08

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V _GS=10V¹⁾

T _C=100°C, V _GS=10V²⁾

I _D

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

160

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=40A

V _GS

P _tot

±16

T _C=25°C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2010-10-05

12 3 4 5 6 7...9

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