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IPD35N10S3L26ATMA1

更新时间： 2024-11-18 18:24:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IPD35N10S3L26ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.64
雪崩能效等级（Eas）：175 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0319 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD35N10S3L26ATMA1 数据手册

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IPD35N10S3L-26  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
100  
26  
V
R DS(on),max  
I D  
mW  
A
35  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD35N10S3L-26  
PG-TO252-3-11 3N10L26  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25°C, V GS=10V  
Continuous drain current  
35  
A
T C=100°C, V GS=10V1)  
25  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25°C  
I D=17A  
140  
175  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
mJ  
A
I AS  
35  
Gate source voltage2)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25°C  
Power dissipation  
71  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
2011-10-06  
1234567...9

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IPD35N10S3L26ATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD40NF10 STMICROELECTRONICS

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