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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.74 |
| Samacsys Description： | Infineon IPD35N10S3L-26 N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-252 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 65 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 71 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD35N10S3L26ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPD35N12S3L-24 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
|
| IPD380P06NM | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in D²PAK packa |
|
| IPD400N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPD400N06NG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS® Power-Transistor Features N-channel |
|
| IPD400N06NGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPD40DP06NM | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag |
|
| IPD40N03S4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD40N03S4L-08_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD40N03S4L08ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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