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IPD350N06LGBTMA1

更新时间： 2024-11-18 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1008K
描述
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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IPD350N06LGBTMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.89	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	29 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	116 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD350N06LGBTMA1 数据手册

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IPD350N06LGBTMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD800N06NGBTMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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IPD35N10S3L26ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD35N12S3L-24	INFINEON	获取价格	车规级MOSFET
IPD380P06NM	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in D²PAK packa
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IPD400N06NGBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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