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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.7 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 187 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 382 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 50 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50WPBF | INFINEON |
类似代替  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4PC50UPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
|
| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGW30N60TP | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IGW30N60TXK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IGW30N65L5 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP™ 5 |
|
| IGW40N120H3 | INFINEON |
获取价格 |
1200V high speed switching series third generation |
|
| IGW40N60DTP | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IGW40N60H3 | INFINEON |
获取价格 |
High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLAS |
|
| IGW40N60TP | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP? Perf. |
|
| IGW40N60TPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
|
| IGW40N65F5 | INFINEON |
获取价格 |
High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP 5 technology |
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