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IGW40T120FKSA1

更新时间： 2024-11-02 21:21:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	302K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IGW40T120FKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.2	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	700 ns	标称接通时间 (ton)：	92 ns
Base Number Matches：	1

IGW40T120FKSA1 数据手册

IGW40T120

TrenchStop^®Series

Low Loss IGBT in TrenchStop^®and Fieldstop technology



Short circuit withstand time – 10s

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply



TrenchStop^®and Fieldstop technology for 1200 V applications

offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI



PG-TO-247-3

Low Gate Charge

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}T_j,maxMarking Code

1.7V G40T120

Package

IGW40T120

1200V

40A

PG-TO-247-3

150C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25C

V_{C E}

I_C

1200

T_C= 100C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

V_CE 1200V, T_j 150C

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time²⁾

V_GE= 15V, V_CC 1200V, T_j 150C

Power dissipation

I_{Cp ul s}

105

V_{G E}

t_SC

20

s

P_{t ot}

270

T_C= 25C

Operating junction temperature

Storage temperature

T_j

-40...+150

-55...+150

260

C

T_{st g}

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.4 Nov. 09

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...13

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