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IGW75N60T

更新时间： 2024-02-19 10:38:40

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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12页	371K
描述
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

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IGW75N60T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	401 ns
标称接通时间 (ton)：	69 ns	Base Number Matches：	1

IGW75N60T 数据手册

IGW75N60T

TrenchStop Series

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

•

Very low V_CE(sat)1.5 V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175 °C

Short circuit withstand time – 5µs

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

•

Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

P-TO-247-3-1

(TO-220AC)

- low V_CE(sat)

•

Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

Low Gate Charge

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking Code Package

Ordering Code

Q67040S4726

IGW75N60T

600V

75A

1.5V

G75T60

TO-247

175°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

150

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_Cpuls

V_GE

t_SC

225

±20

Turn off safe operating area (V_CE≤ 600V, T_j≤ 175°C)

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time¹⁾

µs

_GE= 15V, V_CC≤ 400V, T_j≤ 150°C

P_tot

T_j

T_stg

428

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.1 Dec-04

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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