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IGW50N60T

更新时间： 2024-09-30 21:53:23

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英飞凌 - INFINEON		瞄准线双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	402K
描述
LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY

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IGW50N60T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.12
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	333 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	396 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IGW50N60T 数据手册

IGP50N60T, IGB50N60T

TrenchStop Series

IGW50N60T

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

•

Very low V_CE(sat)1.5 V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175 °C

Short circuit withstand time – 5µs

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

•

Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

P-TO-247-3-1

(TO-220AC)

- low V_CE(sat)

•

Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

Low Gate Charge

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

1.5 V

T_j,max

Marking Code

G50T60

Package Ordering Code

TO-220 Q67040S4723

TO-263 Q67040S4721

TO-247 Q67040S4725

IGP50N60T

IGB50N60T

IGW50N60T

600 V

50 A

175 °C

1.5 V

G50T60

1.5 V

G50T60

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

100

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_Cpuls

V_GE

t_SC

150

±20

Turn off safe operating area (V_CE≤ 600V, T_j≤ 175°C)

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time¹⁾

µs

_GE= 15V, V_CC≤ 400V, T_j≤ 150°C

P_tot

T_j

T_stg

333

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.2 Dec-04

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...13

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IGW50N60T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NGTB45N60S2WG	ONSEMI	功能相似	IGBT，600 V/45 A - 焊接

与IGW50N60T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGW50N60TFKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P
IGW50N60TP	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
IGW50N65F5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5
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