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IGW40N65F5FKSA1

更新时间： 2024-11-02 20:02:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
15页	2430K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IGW40N65F5FKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	1.56	最大集电极电流 (IC)：	74 A
集电极-发射极最大电压：	650 V	门极发射器阈值电压最大值：	4.8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	255 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IGBT

Highꢀspeedꢀ5ꢀFASTꢀIGBTꢀinꢀTRENCHSTOP^TMꢀꢀ5ꢀtechnology

IGP40N65F5,ꢀIGW40N65F5

650VꢀIGBTꢀhighꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀfifthꢀgeneration

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGW40N65H5	INFINEON	获取价格	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
IGW40N65H5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40T12	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™
IGW40T120	INFINEON	获取价格	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120_09	INFINEON	获取价格	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGW40T120FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM
IGW40T120XK	INFINEON	获取价格	暂无描述
IGW50N60H3	INFINEON	获取价格	600V high speed switching series third generation
IGW50N60T	INFINEON	获取价格	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW50N60TFKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P