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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 74 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 203 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 31 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGW40T12 | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ |
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| IGW40T120 | INFINEON |
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Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IGW40T120_09 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
|
| IGW40T120FKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM |
|
| IGW40T120XK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IGW50N60H3 | INFINEON |
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600V high speed switching series third generation |
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| IGW50N60T | INFINEON |
获取价格 |
LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
|
| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P |
|
| IGW50N60TP | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ Perf. |
|
| IGW50N65F5 | INFINEON |
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IGBT TRENCHSTOP™ 5 |
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