Datasheet > IGW40N65F5

IGW40N65F5

更新时间： 2024-11-02 12:46:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	2496K
描述
High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP 5 technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IGW40N65F5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	2.18	Samacsys Description：	Infineon IGW40N65F5, IGBT Transistor, 40 A Dual 650 V, 3-Pin PG-TO-247
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IGBT

Highꢀspeedꢀ5ꢀFASTꢀIGBTꢀinꢀTRENCHSTOP^TMꢀꢀ5ꢀtechnology

IGP40N65F5,ꢀIGW40N65F5

650VꢀIGBTꢀhighꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀfifthꢀgeneration

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGW40N65F5A	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGW40N65F5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40N65F5FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IGW40N65H5	INFINEON	获取价格	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
IGW40N65H5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40T12	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™
IGW40T120	INFINEON	获取价格	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120_09	INFINEON	获取价格	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGW40T120FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM
IGW40T120XK	INFINEON	获取价格	暂无描述