5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.66 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 74 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 30 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| IGW40N65H5 | INFINEON |
获取价格 |
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology |
|
| IGW40N65H5AXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
|
| IGW40T12 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP™ |
|
| IGW40T120 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IGW40T120_09 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
|
| IGW40T120FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM |
|
| IGW40T120XK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IGW50N60H3 | INFINEON |
获取价格 |
600V high speed switching series third generation |
|
| IGW50N60T | INFINEON |
获取价格 |
LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
