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IGW40N60H3

更新时间： 2024-11-02 12:20:31

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1701K
描述
High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

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IGW40N60H3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.15	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	306 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	249 ns
标称接通时间 (ton)：	48 ns	Base Number Matches：	1

IGBT

High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

IGW40N60H3

600V IGBT

High speed switching series third generation

Data Sheet

Industrial & Multimarket

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRGP4640-EPBF	INFINEON	类似代替	Insulated Gate Bipolar Transistor,

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGW40N60H3FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLAS
IGW40N60TP	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP? Perf.
IGW40N60TPXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40N65F5	INFINEON	获取价格	High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
IGW40N65F5A	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGW40N65F5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40N65F5FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IGW40N65H5	INFINEON	获取价格	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
IGW40N65H5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IGW40T12	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™