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IGC03R60DEX1SA2

更新时间： 2024-11-11 06:27:27

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英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	97K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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IGC03R60DEX1SA2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IGC03R60DEX1SA2 数据手册

IGC03R60DE

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5μs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

IGC03R60DE

600V 2.5A

1.6 x 1.73 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

1.6 x 1.73

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

2.768 / 1.192 / 0.222

mm²

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

10182

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

(temperature budget: 290°C for 1min. or 260°C for 1.5min.)

Die bond

Wire bond

Al, <250µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

for original and

sealed MBB bags

Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,

< 6 month

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,

Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD D, L7381B, Edition 1.2, 31.05.2013

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGC04R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2
IGC04R60DE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC04R60DEX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
IGC04R60DX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2
IGC05R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.21 X 2.19 MM, DIE-2
IGC05R60DE	INFINEON	获取价格	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC
IGC06R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.47 X 2.44 MM, DIE-2
IGC06R60DE	INFINEON	获取价格	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC
IGC07R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.68 X 2.65 MM, DIE
IGC07R60DE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

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