是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.66 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IGC06R60D | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.47 X 2.44 MM, DIE-2 | |
IGC06R60DE | INFINEON |
获取价格 |
第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC | |
IGC07R60D | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.68 X 2.65 MM, DIE | |
IGC07R60DE | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC07R60DEX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 | |
IGC07T120T6L | INFINEON |
获取价格 |
IGBT4 Low Power Chip | |
IGC07T120T8L | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC07T120T8LX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC10000 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET | |
IGC100T65T8RM | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 |