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IGC04R60D

更新时间： 2024-11-24 21:19:39

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英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	138K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2

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IGC04R60D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IGC04R60D 数据手册

IGC04R60D

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5µs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

600V

I_Cn

Die Size

1.98 x 1.85 mm²

Package

sawn on foil

IGC04R60D

Mechanical Parameter

Raster size

1.98 x 1.85

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

mm²

see chip drawing

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

3.663 / 1.464 / 0.339

µm

Wafer size

150

4154

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD, Edition 2.0, 12.01.2010

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与IGC04R60D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGC04R60DE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC04R60DEX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
IGC04R60DX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2
IGC05R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.21 X 2.19 MM, DIE-2
IGC05R60DE	INFINEON	获取价格	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC
IGC06R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.47 X 2.44 MM, DIE-2
IGC06R60DE	INFINEON	获取价格	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC
IGC07R60D	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.68 X 2.65 MM, DIE
IGC07R60DE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC07R60DEX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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