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IGC07R60DEX1SA2

更新时间： 2024-11-28 06:25:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	96K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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IGC07R60DEX1SA2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIE-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON

IGC07R60DEX1SA2 数据手册

IGC07R60DE

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5μs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

IGC07R60DE

600V 10A

2.65 x 2.68 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

2.65 x 2.68

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

7.102 / 3.647 / 0.871

mm²

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

3920

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

(temperature budget: 290°C for 1min. or 260°C for 1.5min.)

Die bond

Wire bond

Al, <350µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

for original and

sealed MBB bags

Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,

< 6 month

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,

Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD D, L7385B, Edition 1.1, 31.05.2013

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