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IGC13T120T6L

更新时间： 2024-11-05 11:19:19

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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5页	75K
描述
IGBT4 Low Power Chip

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IGC13T120T6L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IGC13T120T6L 数据手册

IGC13T120T6L

IGBT4 Low Power Chip

Features:

1200V Trench + Field stop technology

low switching losses

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

low / medium power modules

Applications:

low / medium power drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

3.54 x 3.81 mm²

Package

IGC13T120T6L

1200V 10A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER

Raster size

3.54 x 3.81

1.497 x 2.34

0.608 x 1.092

13.48 / 6.93

115

Emitter pad size

Gate pad size

mm²

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

1109

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7623C, Edition 1, 31.10.2007

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