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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC20620 | ETC |
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ASIC |
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| IGC21350 | ETC |
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ASIC |
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| IGC27T120T6L | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC27T120T8L | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC27T120T8Q | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC28T65QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC36T120T6L | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC36T120T8L | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC36T120T8LX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| IGC36T120T8LX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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