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IGC70T120T6RM

更新时间： 2024-09-16 11:19:19

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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5页	74K
描述
IGBT4 Medium Power Chip

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IGC70T120T6RM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IGC70T120T6RM 数据手册

IGC70T120T6RM

IGBT4 MediumPower Chip

FEATURES:

1200V Trench + Field Stop technology

low switching losses

soft turn off

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

medium power modules

Applications:

medium power drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

9.12 x 7.71 mm²

Package

IGC70T120T6RM 1200V 75A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER

Raster size

9.12 x 7.71

7.61 x 6.24

1.31 x 0.81

70.3 / 51.6

120

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

mm²

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

200

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7673B, Edition 1, 31.10.2007

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