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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.58 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC76T65T8RM | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC89T170S8RM | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 10.09 X 8.85 MM, D |
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| IGC99T120T6RH | INFINEON |
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IGBT4 High Power Chip |
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| IGC99T120T6RL | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC99T120T6RM | INFINEON |
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IGBT4 Medium Power Chip |
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| IGC99T120T8RH | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC99T120T8RL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC99T120T8RLX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5 |
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| IGC99T120T8RM | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC99T120T8RQ | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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