是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.62 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IGC36T120T8LX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 | |
IGC36T120T8LX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC39T65QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 | |
IGC41T120T8Q | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 | |
IGC50T120T6RL | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip | |
IGC50T120T8RL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC50T120T8RLX7SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IGC50T120T8RQ | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 | |
IGC50T120T8RQX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC54T65R3QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |