Datasheet > IGC39T65QE

IGC39T65QE

更新时间： 2024-11-20 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关
页数	文件大小	规格书
8页	94K
描述
英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与导通损耗之间实现最佳平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为，降低关断损耗。

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IGC39T65QE 数据手册

IGC39T65QE

High Speed IGBT3 Chip

Features

• V_CES= 650 V

• I_Cn= 75 A

• 650 V trench & field stop technology

• High switching speed

• Low V_CEsat

• Low EMI

• Low turn-oﬀ losses

• Positive temperature coeﬀicient

Potential applications

• Uninterruptible power supplies

• Welding converters

• Converters with high switching frequency

Product validation

• Technology qualified for industrial applications. Ready for validation in industrial applications

according to the relevant tests of IEC 60747 and 60749 or alternatively JEDEC47/20/22

Description

• Recommended for discrete components and modules

Type

Die size

Delivery form

IGC39T65QE

6.59 mm x 5.91 mm

Sawn on foil

Datasheet

www.infineon.com

Please read the sections "Important notice" and "Warnings" at the end of this document

Revision 1.00

2023-04-28

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGC41T120T8Q	INFINEON	获取价格	英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与
IGC50T120T6RL	INFINEON	获取价格	IGBT4 Low Power Chip
IGC50T120T8RL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC50T120T8RLX7SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IGC50T120T8RQ	INFINEON	获取价格	英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与
IGC50T120T8RQX1SA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC54T65R3QE	INFINEON	获取价格	英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与
IGC54T65T8RM	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树
IGC70T120T6RL	INFINEON	获取价格	IGBT4 Low Power Chip
IGC70T120T6RM	INFINEON	获取价格	IGBT4 Medium Power Chip