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| IGC28T65QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC36T120T6L | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC36T120T8L | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC36T120T8LX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| IGC36T120T8LX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC39T65QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC41T120T8Q | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC50T120T6RL | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC50T120T8RL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC50T120T8RLX7SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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