5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC142T120T8RL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IGC142T120T8RLX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
|
| IGC142T120T8RM | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IGC142T120T8RMX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IGC15T65QE | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
|
| IGC168T170S8RM | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.38 X 12.58 MM, |
|
| IGC189T120T6RL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 13.62 X 13.87 MM, DIE-3 |
|
| IGC189T120T6RLX1SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 13.62 X 13.87 MM, DIE-3 |
|
| IGC189T120T8RL | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
|
| IGC18T120T6L | INFINEON |
获取价格 |
IGBT4 Low Power Chip |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
