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IGC142T120T8RMX1SA2

更新时间: 2024-11-05 20:07:27
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英飞凌 - INFINEON
页数 文件大小 规格书
9页 322K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

IGC142T120T8RMX1SA2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:5.73
Base Number Matches:1

IGC142T120T8RMX1SA2 数据手册

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