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IGC189T120T6RLX1SA1

更新时间： 2024-11-21 07:59:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 13.62 X 13.87 MM, DIE-3

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IGC189T120T6RLX1SA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	JESD-30 代码：	R-XUUC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IGC189T120T6RLX1SA1 数据手册

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IGC189T120T6RL

IGBT4 Low Power Chip

Features:

1200V Trench + Field Stop technology

low switching losses

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

low / medium power modules

Applications:

low / medium power drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

IGC189T120T6RL 1200V 200A 13.62 x 13.87 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER

Raster size

13.62 x 13.87

12.1 x 12.35

1.31 x 0.81

188.9 / 150.6

115

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

mm²

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7703C, Edition 0.9, 22.11.2007

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