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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 5.57 | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-XUUC-N7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC142T120T8RM | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC142T120T8RMX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IGC15T65QE | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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| IGC168T170S8RM | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.38 X 12.58 MM, |
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| IGC189T120T6RL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 13.62 X 13.87 MM, DIE-3 |
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| IGC189T120T6RLX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 13.62 X 13.87 MM, DIE-3 |
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| IGC189T120T8RL | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC18T120T6L | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC18T120T8L | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC18T120T8Q | INFINEON |
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英飞凌 HighSpeed 3 系列产品在 25kHz 到 70kHz 频率范围内在开关与 |
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