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IGC07T120T6L

更新时间： 2024-11-27 11:19:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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描述
IGBT4 Low Power Chip

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IGC07T120T6L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IGC07T120T6L 数据手册

IGC07T120T6L

IGBT4 Low Power Chip

Features:

1200V Trench + Field stop technology

low switching losses

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

low / medium power modules

Applications:

low / medium power drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

2.54 x 2.72 mm²

Package

IGC07T120T6L

1200V 4A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER

Raster size

2.54 x 2.72

1.029 x 1.248

0.358 x 0.514

6.9 / 2.8

115

Emitter pad size

Gate pad size

mm²

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

2162

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7483C, Edition 1, 31.10.2007

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