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IGC10R60DE

更新时间： 2024-11-05 21:22:19

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英飞凌 - INFINEON		栅
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6页	96K
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Insulated Gate Bipolar Transistor

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IGC10R60DE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IGC10R60DE 数据手册

IGC10R60DE

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5μs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

IGC10R60DE

600V 15A

2.70 x 3.73 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

2.70 x 3.73

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

10.071 / 5.544 / 1.317

mm²

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

2759

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Electrically conductive epoxy glue and soft solder

(temperature budget: 290°C for 1min. or 260°C for 1.5min.)

Die bond

Wire bond

Al, <350µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

for original and

sealed MBB bags

Ambient atmosphere air, Temperature 17°C – 25°C,

< 6 month

Storage environment

Acc. to IEC62258-3: Atmosphere >99% Nitrogen or inert gas,

Humidity <25%RH, Temperature 17°C – 25°C, < 6 month

for open MBB bags

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD D, L7386B, Edition 1.1, 31.05.2013

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IGC10R60DX1SA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2
IGC10R60DX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2
IGC10T65QE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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IGC11T120T8LX1SA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

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