5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC109T120T6RM | INFINEON |
获取价格 |
IGBT4 Medium Power Chip |
|
| IGC109T120T8RM | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IGC10R60D | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
|
| IGC10R60DE | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IGC10R60DEX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IGC10R60DX1SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
|
| IGC10R60DX1SA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
|
| IGC10T65QE | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IGC114T170S8RH | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, 12.08 X 9.47 MM, DIE-5 |
|
| IGC114T170S8RM | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
