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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 110 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC109T120T8RM | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IGC10R60D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
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| IGC10R60DE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC10R60DEX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC10R60DX1SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
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| IGC10R60DX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
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| IGC10T65QE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC114T170S8RH | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, 12.08 X 9.47 MM, DIE-5 |
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| IGC114T170S8RM | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC11500 | INTERSIL |
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Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART) |
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