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IGC114T170S8RH

更新时间： 2024-11-05 21:06:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	126K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, 12.08 X 9.47 MM, DIE-5

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IGC114T170S8RH 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.4 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IGC114T170S8RH 数据手册

IGC114T170S8RH

IGBT3 Power Chip

Features:

This chip is used for:

power modules

•

1700V Trench + Field stop technology

low switching losses and saturation losses

soft turn off

•

Applications:

positive temperature coefficient

easy paralleling

•

drives

Chip Type

V_CE

I_C

Die Size

Package

IGC114T170S8RH 1700V 100A 9.47 x 12.08 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameter

Raster size

9.47 x 12.08

7.254 x 9.858

1.674 x 0.899

114.4

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

mm²

Area total

Thickness

190

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

219

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L7783N, Edition 0.9, 15.02.2010

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