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IGC10R60DX1SA2

更新时间： 2024-11-06 08:40:47

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英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	131K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2

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IGC10R60DX1SA2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IGC10R60DX1SA2 数据手册

IGC10R60D

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5µs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

600V 15A

I_Cn

Die Size

2.70 x 3.73 mm²

Package

sawn on foil

IGC10R60D

Mechanical Parameter

Raster size

2.70 x 3.73

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

mm²

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

10.071 / 5.544 / 1.317

µm

Wafer size

150

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

1450

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD, Edition 2.0, 12.01.2010

12 3 4 5 6

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与IGC10R60DX1SA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGC10T65QE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC114T170S8RH	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, 12.08 X 9.47 MM, DIE-5
IGC114T170S8RM	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树
IGC11500	INTERSIL	获取价格	Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART)
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IGC11T120T8L	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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