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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGC100T65T8RM | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| IGC10408 | INTERSIL |
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Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART) |
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| IGC10756 | INTERSIL |
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Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART) |
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| IGC109T120T6RH | INFINEON |
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IGBT4 High Power Chip |
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| IGC109T120T6RL | INFINEON |
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IGBT4 Low Power Chip |
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| IGC109T120T6RM | INFINEON |
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IGBT4 Medium Power Chip |
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| IGC109T120T8RM | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IGC10R60D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.73 X 2.70 MM, DIE-2 |
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| IGC10R60DE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IGC10R60DEX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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