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IGC07R60D

更新时间： 2024-11-05 14:51:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	132K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.68 X 2.65 MM, DIE-2

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IGC07R60D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IGC07R60D 数据手册

IGC07R60D

TRENCHSTOP^TMRC-Series for hard switching applications

IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage

Features:

TRENCHSTOP^TMReverse Conducting (RC) technology for

600V applications offering:

• Optimised V_CEsatand V_Ffor low conduction losses

• Smooth switching performance leading to low EMI levels

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20kHz

• Maximum junction temperature 175°C

• Short circuit capability of 5µs

• Best in class current versus package size performance

• Qualified according to JEDEC for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

Used for:

Motor drives

Discrete components and molded modules

Chip Type

V_CE

600V 10A

I_Cn

Die Size

2.65 x 2.68 mm²

Package

sawn on foil

IGC07R60D

Mechanical Parameter

Raster size

2.65 x 2.68

Emitter pad size

Gate pad size

see chip drawing

mm²

see chip drawing

Area: total / active IGBT / active Diode

Thickness

7.102 / 3.647 / 0.871

µm

Wafer size

150

2069

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IFAG IMM PSD, Edition 2.0, 12.01.2010

12 3 4 5 6

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与IGC07R60D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IGC07R60DE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC07R60DEX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
IGC07T120T6L	INFINEON	获取价格	IGBT4 Low Power Chip
IGC07T120T8L	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC07T120T8LX1SA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IGC10000	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
IGC100T65T8RM	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树
IGC10408	INTERSIL	获取价格	Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART)
IGC10756	INTERSIL	获取价格	Universal Asynchronous Receiver Transmitter(UART)
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