生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.21 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 2000 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
VCEsat-Max: | 1.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZT605 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS | |
FZT605 | DIODES |
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SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM | |
FZT605_13 | DIODES |
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120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 | |
FZT605TA | DIODES |
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120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 | |
FZT605TC | DIODES |
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120V NPN DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT223 | |
FZT649 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR | |
FZT649 | FAIRCHILD |
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NPN Low Saturation Transistor | |
FZT649 | ONSEMI |
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NPN 低饱和晶体管 | |
FZT649 | TYSEMI |
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3 Amp continuous current., Low saturation voltage | |
FZT649 | KEXIN |
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NPN Silicon Planar High Performance Transistor |