FZT649

更新时间： 2024-11-06 10:22:59

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描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

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FZT649 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	7.72
Base Number Matches：	1

FZT649 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

FZT649

HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

ISSUE 4 FEBRUARY 1996

FEATURES

25 Volt V_CEO

3 Amp continuous current

Low saturation voltage

Excellent h_FEspecified up to 6A

COMPLEMENTARY TYPE

FZT749

PARTMARKING DETAIL

FZT649

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

MAX. UNIT

amb

TYP.

PARAMETER

SYMBOL MIN.

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

I_C=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

I_C=10mA*

Emitter-Base Breakdown V_(BR)EBO

Voltage

I_E=100µA

Collector Cut-Off Current I_CBO

0.1

_CB=30V

µA

V_CB=30V,T =100°C

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

0.1

V_EB=4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.12

0.40

0.3

0.6

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=3A, I_B=300mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

1.0

I_C=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

100

200

150

I_C=50mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

I_C=6A, V_CE=2V*

300

Transition Frequency

f_T

150

240

MHz

I_C=100mA, V_CE=5V

f=100MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=10V, f=1MHz

I_C=500mA, V_CC=10V

I_B1=I_B2=50mA

t_off

300

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 205

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FZT649 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT649TC	DIODES	完全替代	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TA	DIODES	功能相似	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649	FAIRCHILD	功能相似	NPN Low Saturation Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT649_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FZT649D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT649TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT651	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS
FZT651	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Planar High Performance Transistors
FZT651	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR

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